El Blog de Xh3lo

Científicos de Hewlett-Packard están reportando avances en el diseño de una nueva clase de interruptores diminutos capaces de sustituir los transistores de chips a una escala atómica.

Estos dispositivos conocidos como memristores (memoria/resistencia) fueron concebidos en 1971 por Leon Chua, un ingeniero eléctrico en la Universidad de California, pero no fue hasta el 2008 que un equipo de HP Labs logró su implementación física.



Ahora, HP dice que está en buen camino para desarrollar una tecnología de almacenamiento capaz de empaquetar 20GB en un centímetro cuadrado. El sistema emplea memristores, donde una película ultrafina de óxido de titanio es inyectada con una corriente eléctrica para mover átomos individuales y así cambiar la resistencia del material. El equipo de HP no solo ha logrado crear un arreglo tridimensional de memristores (que trabajan de forma similar a la sinapsis cerebral), también han aumentado la velocidad de conmutación para coincidir con la de los transistores de silicio tradicionales.

La principal ventaja es el tamaño ya que las actuales memorias basadas en transistores se fabrican en procesos de 30-40nm, y HP ha logrado crear memristores de tan solo 3nm que puede encender y apagar en un nanosegundo. Por lo tanto el Dr. Stan Williams dice que es posible tener 20GB en un centímetro cuadrado en menos de tres años.

La tecnología tiene el potencial para escalar significativamente los límites de almacenamiento de los transistores, al mismo tiempo que promete reducir el consumo de energía, ya que una vez que los átomos se han movido no requieren de electricidad para mantener su estado.

Incluso HP considera que esta tecnología es mejor que la empleada en las memorias de cambio de fase de IBM que prometían ser las sucesoras de las memorias flash.

Fuente: Slashgear